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Méthode de mesure des impédances transitoires - Application aux puces RFID HF
Get PDFInternational audienceCet article présente une méthode de mesure des impédances transitoires n'utilisant qu'un oscilloscope, un coupleur directionnel et un ordinateur. En plus d'obtenir des impédances comparables à celles obtenues avec un analyseur de réseaux standard, la méthode proposée permet également de visualiser l'évolution de l'impédance au cours du temps et ce, pour des puissances bien plus élevées que celles habituellement disponibles sur les analyseurs de réseaux. Appliquée à la RFID à 13,56MHz, cette méthode permet alors de mesurer les impédances en jeu lors de la communication entre un lecteur et une puce RFID, puis d'en déduire des informations telles que la consommation de la puce et les impédances de rétro-modulation, ces dernières permettant par exemple de vérifier la conformité d'une puce aux standards
Méthode de mesure des impédances transitoires - Application aux puces RFID HF
No full textInternational audienceCet article présente une méthode de mesure des impédances transitoires n'utilisant qu'un oscilloscope, un coupleur directionnel et un ordinateur. En plus d'obtenir des impédances comparables à celles obtenues avec un analyseur de réseaux standard, la méthode proposée permet également de visualiser l'évolution de l'impédance au cours du temps et ce, pour des puissances bien plus élevées que celles habituellement disponibles sur les analyseurs de réseaux. Appliquée à la RFID à 13,56MHz, cette méthode permet alors de mesurer les impédances en jeu lors de la communication entre un lecteur et une puce RFID, puis d'en déduire des informations telles que la consommation de la puce et les impédances de rétro-modulation, ces dernières permettant par exemple de vérifier la conformité d'une puce aux standards
Hot-Carrier and BTI Damage Distinction for High Performance Digital Application in 28nm FDSOI and 28nm LP CMOS nodes
No full text22nd IEEE International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design (IOLTS), Catalunya, SPAIN, JUL 04-06, 2016International audienceWe use dedicated test structures for high performance low power (LP) CMOS nodes designed with 28nm FDSOI and 28nm LP devices. These allow to distinguish AC high frequency dependence as a function of high temperature (125 degrees C) experiments for Bias Temperature Instability (BTI) and Hot Carrier Damage (HCD) (1) for inverter chains (buffers) and logic gates in order to obtain AC-DC ratios (2) in standard logic gate paths for timing degradation with activity as a variable. This shows that NBTI remains the worst - case of damage at high temperature with a frequency independence due to the limited effect of relaxation with activity lowering (t(on)/t(off)) while HCD still represents a significant damage contribution at lower temperature due to the frequency and pulse shape dependences during transients. An accurate quantitative analysis is checked in a data path example with ELDO simulations that distinguishes each contribution
Générateur analogique chaotique intégré faible consommation
No full textDans le cadre de la formation à l’ISEN Toulon, les étudiants de première année de Master ont pour mission de réaliser un projet sur une durée de 300h. Ce projet a eu pour vocation première la réalisation d’un produit en utilisant les outils d’aide à la simulation proposés par le CNFM, mais également les outils de gestion de projets. Dans ce cadre, les étudiants encadrés par des enseignants-chercheurs de différents sites (ISEN Toulon, Polytech’Marseille, le Laboratoire IM2NP, l’EMSE), ont développé une source aléatoire intégrée faible consommation. La conception a été réalisée par les étudiants sur le site de l’ISEN Toulon et Polytech Marseille et les tests sécuritaires ont été effectués sur le site de l’Ecole des Mines de Saint Etienne, à Gardanne. Ce projet multi site est une réelle plus-value pour les étudiants comme pour les encadrants
